砷化鎵分立器件

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        與硅相比，砷化鎵 (GaAs) 具有更為優越的電性能，例如更快的電子的飽和速度和更快的電子遷移率，使得GaAs晶體管可以工作到超過250GHz頻率。GaAs的帶隙較寬，很容易在單層GaAs上制造有源和關鍵的無源器件，因而是單片微波集成電路(MMIC) 的理想制造材料。